对比图
型号 IXFQ28N60P3 IXTQ26N60P IXFH28N60P3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-3P N-CH 600V 26AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH28N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 28 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 26.0 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.26 Ω 270 mΩ 0.26 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 695 W 460 W 695 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
输入电容 - 4.15 nF -
栅电荷 - 72.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) 28A 26.0 A 28A
上升时间 - 27 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 3560pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 3560pF @25V(Vds)
下降时间 - 21 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 695W (Tc) 460W (Tc) 695W (Tc)
针脚数 3 - 3
长度 15.8 mm 15.8 mm 16.26 mm
宽度 4.9 mm 4.9 mm 5.3 mm
高度 20.3 mm 20.3 mm 21.46 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -