DS1330ABP-70和DS1330ABP-70IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1330ABP-70 DS1330ABP-70IND DS1330ABP-70+

描述 Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, MOS, POWERCAP MODULE-34NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 34Pin PowerCap ModuleNVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 34Pin PowerCap Module

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - PowerCap-34 PowerCap-34

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 - 70 ns 70 ns

内存容量 - 256000 B 256000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - - 5.25 V

电源电压(Min) - - 4.75 V

长度 - 23.5 mm 23.5 mm

宽度 - 25.02 mm 25.02 mm

高度 - 2.03 mm 2.03 mm

封装 - PowerCap-34 PowerCap-34

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube, Rail Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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