BFQ67和BFQ67,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFQ67 BFQ67,215 BFQ67-T

描述 NPN 8GHz wideband transistorNXP  BFQ67,215  射频晶体管, NPNL BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

频率 - 8000 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @15mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台