对比图
型号 IXFK26N100P IXFN24N100F IXFX26N100P
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-264IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227BPLUS N-CH 1000V 20A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 4 -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-247-3
通道数 - 1 1
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 390 mΩ -
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 780 W 600 W 780W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1000 V
漏源击穿电压 - 1000 V -
上升时间 - 18 ns -
输入电容(Ciss) 11900pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 11900pF @25V(Vds)
下降时间 - 11 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
耗散功率(Max) 780W (Tc) 600W (Tc) 780W (Tc)
连续漏极电流(Ids) - - 20A
长度 - 38.2 mm -
宽度 - 25.07 mm 5.21 mm
高度 - 9.6 mm -
封装 TO-264-3 SOT-227-4 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -