KBL606G
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KBL606G
概述
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
峰值反向电压:600V
最大RMS反向电压:420V
正向连续电流:6A
最大浪涌电流:180A
正向电压下降:1.1V
最大反向漏泄电流:5uA
最大工作温度:+150C
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:KBL
封装:Bulk
最小工作温度:-55C
数据手册
KBL603G.pdf
KBL601G T0G.pdf
KBL602G T0G.pdf
KBL603G T0G.pdf
KBL604G T0G.pdf
在线购买
型号:
KBL603G
制造商:
GENESIC(基因半导体公司)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL
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型号:
KBL601G T0G
制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL
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型号:
KBL602G T0G
制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBL
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型号:
KBL603G T0G
制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL
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型号:
KBL604G T0G
制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
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