MJD117

概述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
峰值直流集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
功率耗散: 20 W
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 65 C
封装: Tube
集电极连续电流: 2 A
直流电流增益 hFE 最小值: 200 @ 4 A @ 3 V or 500 @ 500m A @ 3 V or 1000 @ 2 A @ 3 V
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型号: MJD112G
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
型号: MJD117T4G
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
型号: MJD117T4G
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
型号: MJD117T4G
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

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