NTD3055L104G
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NTD3055L104G
概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~175
描述:12A,60V功率MOSFET
数据手册
NTD3055L104T4G.pdf
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NTD3055L170T4G.pdf
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型号：
NTD3055L104T4G
制造商：
ON(安森美)
描述：
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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NTD3055L104T4G
制造商：
ON(安森美)
描述：
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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NTD3055L104T4G
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ON(安森美)
描述：
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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型号：
NTD3055L170T4G
制造商：
ON(安森美)
描述：
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
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NTD3055L170T4G
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ON(安森美)
描述：
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
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