类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:TrenchFET®
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
功率 - 最大:1.14W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSOP
包装:剪切带 (CT)
供应商设备封装:*
其它名称:SI3465DV-T1-E3CT