SI6967DQ-T1-E3
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SI6967DQ-T1-E3
概述
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:DualDualSource
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.03Ohms
汲极/源极击穿电压:-8V
闸/源击穿电压:+/-8V
漏极连续电流:+/-5A
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSSOP-8
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:3000
数据手册
SI6968BEDQ-T1-E3.pdf
SI6968BEDQ-T1-E3.pdf
SI6968BEDQ-T1-E3.pdf
SI6968BEDQ-T1-GE3.pdf
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在线购买
型号:
SI6968BEDQ-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
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SI6968BEDQ-T1-E3
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SILICONIX(威世)
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