VN800S-E

概述
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High Side
电源电压(最大值): 36 V
电源电压(最小值): 5.5 V
电源电流: 2.6 mA
最大功率耗散: 4200 mW
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: SO-8
封装: Tube
最大关闭延迟时间: 40000 ns (Typ)
最大开启延迟时间: 10000 ns (Typ)
激励器数量: Single
输出端数量: Single
输出电流: 0.7 A
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型号: VN800PT-E
制造商: ST(意法半导体)
描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 PPAK
型号: VN800PTTR-E
制造商: ST(意法半导体)
描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 PPAK
型号: VN800PTTR-E
制造商: ST(意法半导体)
描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 PPAK
型号: VN800PTTR-E
制造商: ST(意法半导体)
描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 PPAK
型号: VN800PT13TR
制造商: ST(意法半导体)
描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 PPAK

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