ZVN2110C

概述
制造商：DiodesInc.
RoHS：否
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100V
闸/源击穿电压：20V
漏极连续电流：0.32A
功率耗散：700mW
最大工作温度：+150C
安装风格：ThroughHole
封装/箱体：E-Line-3
最小工作温度：-55C

数据手册

ZVN2106GTA.pdfZVN2106GTA.pdfZVN2106GTA.pdfZVN2110ASTZ.pdfZVN2110ASTZ.pdf
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型号： ZVN2106GTA
制造商： DIODES(美台)
描述：MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
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型号： ZVN2106GTA
制造商： DIODES(美台)
描述：MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
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型号： ZVN2106GTA
制造商： DIODES(美台)
描述：MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
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型号： ZVN2110ASTZ
制造商： DIODES(美台)
描述：MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
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型号： ZVN2110ASTZ
制造商： DIODES(美台)
描述：MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
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