ZXMN10B08E6TA

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrain
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.23Ohms
汲极/源极击穿电压：100V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：1.9A
功率耗散：1.1W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-6
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000