IRFZ48S

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 43A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:110nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2400pF @ 25V
功率 - 最大:3.7W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片)
包装:管件
供应商设备封装:*
其它名称:*IRFZ48S
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型号: IRFZ44SPBF
制造商: SILICONIX(威世)
描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
制造商: INFINEON(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
型号: IRFZ44EPBF
制造商: INFINEON(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
型号: IRFZ44RPBF
制造商: SILICONIX(威世)
描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
制造商: INFINEON(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

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