类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：33 毫欧 @ 27A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：27A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 29µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1570pF @ 50V
功率 - 最大：58W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：TO-252
其它名称：SP000096458