信安半导体成立于2008年，属安联集团全资子公司，致力于大中华地区MOSFET产品销售，2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域，同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。
POWER SOLUSTION是一家专业电力半导体FAB OWN公司。公司成立于2005年，工厂坐落在韩国第一工业城市--浦项，主营POWER MOSFET及IGBT的生产于研发。目前8 英寸月产能12000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，目前公司员工195人，所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG（三星）半导体和美国FAIRCHILD（仙童）半导体。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。
POWER SOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWER SOLUSTION终端客户。
关于Truesemi信安
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信安简介
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W(Tc) 类型：N沟道
品牌：Truesemi
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货期： 1~2工作日
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
品牌：Truesemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
品牌：Truesemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
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销售单价： 1+ ￥2.4102
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
品牌：Truesemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥7.7662
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：240mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：151W(Tc) 类型：N沟道
品牌：Truesemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥13.8535
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