VBsemi成立于2000年，是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利，并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。
VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。
关于VBsemi台湾微碧
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台湾微碧简介
品牌型号
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道
品牌：VBsemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥0.569686
最低起订
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道
品牌：VBsemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥0.494935
最低起订
销售单价： 1+ ￥0.495152
最低起订
销售单价： 1+ ￥5.1912
最低起订
销售单价： 1+ ￥1.403787
最低起订
销售单价： 1+ ￥2.2969
最低起订
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
品牌：VBsemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥2.2248
最低起订
销售单价： 1+ ￥3.9552
最低起订
销售单价： 1+ ￥3.3269
最低起订
销售单价： 1+ ￥1.9776
最低起订
销售单价： 1+ ￥1.247845
最低起订
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：53A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104.2W(Tc) 类型：P沟道
品牌：VBsemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥3.0591
最低起订
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
品牌：VBsemi
库存：有货
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥1.853897
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