UT2316G-AE3-R
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- 制造商编号：
- UT2316G-AE3-R
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.402002 | ￥4.02 |
| 100 | ￥0.321373 | ￥32.14 |
| 300 | ￥0.281059 | ￥84.32 |
| 1000 | ￥0.250824 | ￥250.82 |
| 5000 | ￥0.226635 | ￥1133.17 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT2316G-AE3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：960mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.6A
栅源极阈值电压
800mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻
50mΩ @ 3.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
960mW
类型
N沟道
包装方式
编带
UT2316G-AE3-R 同类别型号
注
UT2316G-AE3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购UT2316G-AE3-R、查询UT2316G-AE3-R代理商；
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、UT2316G-AE3-R
数据手册PDF。
UT2316G-AE3-R
型号：UT2316G-AE3-R
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.402002 |
| 100+： | ￥0.321373 |
| 300+： | ￥0.281059 |
| 1000+： | ￥0.250824 |
| 5000+： | ￥0.226635 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00