HSS2301C
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- 制造商编号：
- HSS2301C
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.9A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.178044 | ￥3.56 |
| 200 | ￥0.142596 | ￥28.52 |
| 600 | ￥0.122903 | ￥73.74 |
| 2000 | ￥0.111088 | ￥222.18 |
| 10000 | ￥0.100847 | ￥1008.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSS2301C
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.9A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.9A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
100mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
HSS2301C品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSS2301C
型号：HSS2301C
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.178044 |
| 200+： | ￥0.142596 |
| 600+： | ￥0.122903 |
| 2000+： | ￥0.111088 |
| 10000+： | ￥0.100847 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00