NCE30H10
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- 制造商编号：
- NCE30H10
- 制造商：
- 无锡新洁能(无锡新洁能)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.890108 | ￥3.89 |
| 10 | ￥3.332817 | ￥33.33 |
| 30 | ￥3.092417 | ￥92.77 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE30H10
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
100A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
5.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
110W
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
NCE30H10品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、NCE30H10
数据手册PDF。
NCE30H10
型号：NCE30H10
品牌：无锡新洁能
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.890108 |
| 10+： | ￥3.332817 |
| 30+： | ￥3.092417 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.89