NCE30H15
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- 制造商编号：
- NCE30H15
- 制造商：
- 无锡新洁能(无锡新洁能)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.052637 | ￥4.05 |
| 10 | ￥3.49036 | ￥34.90 |
| 30 | ￥3.203918 | ￥96.12 |
| 100 | ￥2.991738 | ￥299.17 |
| 500 | ￥2.790167 | ￥1395.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE30H15
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
150A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
3mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
130W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
NCE30H15品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
NCE30H15
型号：NCE30H15
品牌：无锡新洁能
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.052637 |
| 10+： | ￥3.49036 |
| 30+： | ￥3.203918 |
| 100+： | ￥2.991738 |
| 500+： | ￥2.790167 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.05