CRST045N10N
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- 制造商编号：
- CRST045N10N
- 制造商：
- CR(启达)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.966599 | ￥3.97 |
| 10 | ￥3.529508 | ￥35.30 |
| 50 | ￥3.310963 | ￥165.55 |
| 100 | ￥3.092417 | ￥309.24 |
| 500 | ￥2.96129 | ￥1480.64 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CRST045N10N
制造商
CR(启达)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
4.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
227W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
CRST045N10N 同类别型号
注
CRST045N10N品牌厂家：CR
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、CRST045N10N
数据手册PDF。
CRST045N10N
型号：CRST045N10N
品牌：CR
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.966599 |
| 10+： | ￥3.529508 |
| 50+： | ￥3.310963 |
| 100+： | ￥3.092417 |
| 500+： | ￥2.96129 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.97