SW4N60
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- 制造商编号：
- SW4N60
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.728464 | ￥1.73 |
| 10 | ￥1.428501 | ￥14.29 |
| 30 | ￥1.299945 | ￥39.00 |
| 100 | ￥1.139566 | ￥113.96 |
| 500 | ￥1.068146 | ￥534.07 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SW4N60
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2.2Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
147W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
SW4N60品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SW4N60
数据手册PDF。
SW4N60
型号：SW4N60
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.728464 |
| 10+： | ￥1.428501 |
| 30+： | ￥1.299945 |
| 100+： | ￥1.139566 |
| 500+： | ￥1.068146 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.73