MTB030N10RQ8
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- 制造商编号：
- MTB030N10RQ8
- 制造商：
- CY(超音)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：930
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTB030N10RQ8
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
6.2A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
30mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.1W
类型
N沟道
包装方式
编带
MTB030N10RQ8 同类别型号
注
MTB030N10RQ8品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、MTB030N10RQ8
数据手册PDF。
MTB030N10RQ8
型号：MTB030N10RQ8
品牌：CY
供货：锐单
库存：930 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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