MTB028N10QNCQ8
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- 制造商编号：
- MTB028N10QNCQ8
- 制造商：
- CY(超音)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.424369 | ￥2.42 |
| 10 | ￥2.01083 | ￥20.11 |
| 30 | ￥1.71102 | ￥51.33 |
| 100 | ￥1.46383 | ￥146.38 |
| 500 | ￥1.421606 | ￥710.80 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTB028N10QNCQ8
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.6A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
6.6A
栅源极阈值电压
2.7V @ 250uA
漏源导通电阻
25mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.1W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
MTB028N10QNCQ8 同类别型号
注
MTB028N10QNCQ8品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、MTB028N10QNCQ8
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MTB028N10QNCQ8
型号：MTB028N10QNCQ8
品牌：CY
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.424369 |
| 10+： | ￥2.01083 |
| 30+： | ￥1.71102 |
| 100+： | ￥1.46383 |
| 500+： | ￥1.421606 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.42