SE30P12D
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- 制造商编号：
- SE30P12D
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥1.014925 | ￥5.07 |
| 50 | ￥0.8084 | ￥40.42 |
| 150 | ￥0.719889 | ￥107.98 |
| 500 | ￥0.609414 | ￥304.71 |
| 2500 | ￥0.560241 | ￥1400.60 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE30P12D
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
15mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
SE30P12D品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SE30P12D
数据手册PDF。
SE30P12D
型号：SE30P12D
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥1.014925 |
| 50+： | ￥0.8084 |
| 150+： | ￥0.719889 |
| 500+： | ￥0.609414 |
| 2500+： | ￥0.560241 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00