CJ3439KDW
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- 制造商编号：
- CJ3439KDW
- 制造商：
- CJ(长晶科技)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA,660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.517789 | ￥5.18 |
| 100 | ￥0.432557 | ￥43.26 |
| 300 | ￥0.38994 | ￥116.98 |
| 3000 | ￥0.319622 | ￥958.87 |
| 6000 | ￥0.294053 | ￥1764.32 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CJ3439KDW
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA,660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
750mA,660mA
栅源极阈值电压
1.1V @ 250uA
漏源导通电阻
520mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
-
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
CJ3439KDW 同类别型号
注
CJ3439KDW品牌厂家：CJ
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、CJ3439KDW
数据手册PDF。
CJ3439KDW
型号：CJ3439KDW
品牌：CJ
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.517789 |
| 100+： | ￥0.432557 |
| 300+： | ￥0.38994 |
| 3000+： | ￥0.319622 |
| 6000+： | ￥0.294053 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00