UTT25P10L-TN3-R
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- 制造商编号：
- UTT25P10L-TN3-R
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥2.087559 | ￥10.44 |
| 50 | ￥1.687608 | ￥84.38 |
| 150 | ￥1.5162 | ￥227.43 |
| 500 | ￥1.295114 | ￥647.56 |
| 2500 | ￥1.199852 | ￥2999.63 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UTT25P10L-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
25A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
150mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
50W
类型
P沟道
包装方式
编带
UTT25P10L-TN3-R 同类别型号
注
UTT25P10L-TN3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、UTT25P10L-TN3-R
数据手册PDF。
UTT25P10L-TN3-R
型号：UTT25P10L-TN3-R
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥2.087559 |
| 50+： | ￥1.687608 |
| 150+： | ￥1.5162 |
| 500+： | ￥1.295114 |
| 2500+： | ￥1.199852 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00