HSK0008
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- 制造商编号：
- HSK0008
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.552046 | ￥2.76 |
| 50 | ￥0.447144 | ￥22.36 |
| 150 | ￥0.394693 | ￥59.20 |
| 1000 | ￥0.355355 | ￥355.35 |
| 2000 | ￥0.323885 | ￥647.77 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSK0008
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.2A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
310mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSK0008品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSK0008
型号：HSK0008
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.552046 |
| 50+： | ￥0.447144 |
| 150+： | ￥0.394693 |
| 1000+： | ￥0.355355 |
| 2000+： | ￥0.323885 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00