LSG65R650HT
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- 制造商编号：
- LSG65R650HT
- 制造商：
- LONTEN(龙腾半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.386525 | ￥9.39 |
| 10 | ￥7.780216 | ￥77.80 |
| 30 | ￥6.895107 | ￥206.85 |
| 100 | ￥5.889799 | ￥588.98 |
| 500 | ￥5.452708 | ￥2726.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
LSG65R650HT
制造商
LONTEN(龙腾半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
650mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
-
类型
N沟道
包装方式
编带
LSG65R650HT 同类别型号
注
LSG65R650HT品牌厂家：LONTEN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购LSG65R650HT、查询LSG65R650HT代理商；
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替代型号
、LSG65R650HT
数据手册PDF。
LSG65R650HT
型号：LSG65R650HT
品牌：LONTEN
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.386525 |
| 10+： | ￥7.780216 |
| 30+： | ￥6.895107 |
| 100+： | ￥5.889799 |
| 500+： | ￥5.452708 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.39