SED30P30M
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- 制造商编号：
- SED30P30M
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SED30P30M
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
30A
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
11mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
SED30P30M品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SED30P30M
型号：SED30P30M
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00