WSD2018
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- 制造商编号：
- WSD2018
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥1.312474 | ￥6.56 |
| 50 | ￥1.060054 | ￥53.00 |
| 150 | ￥0.951875 | ￥142.78 |
| 500 | ￥0.787309 | ￥393.65 |
| 2500 | ￥0.72721 | ￥1818.03 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD2018
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A(Tc)
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
15mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
WSD2018品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
WSD2018
型号：WSD2018
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥1.312474 |
| 50+： | ￥1.060054 |
| 150+： | ￥0.951875 |
| 500+： | ￥0.787309 |
| 2500+： | ￥0.72721 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00