PNM723T703E0-2
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- 制造商编号：
- PNM723T703E0-2
- 制造商：
- Prisemi(芯导)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：562
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.199662 | ￥0.20 |
| 100 | ￥0.186352 | ￥18.64 |
| 300 | ￥0.173042 | ￥51.91 |
| 500 | ￥0.159732 | ￥79.87 |
| 2000 | ￥0.153077 | ￥306.15 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PNM723T703E0-2
制造商
Prisemi(芯导)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
180mA
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
150mW
类型
N沟道
包装方式
编带
PNM723T703E0-2 同类别型号
注
PNM723T703E0-2品牌厂家：Prisemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、PNM723T703E0-2
数据手册PDF。
PNM723T703E0-2
型号：PNM723T703E0-2
品牌：Prisemi
供货：锐单
库存：562 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.199662 |
| 100+： | ￥0.186352 |
| 300+： | ￥0.173042 |
| 500+： | ￥0.159732 |
| 2000+： | ￥0.153077 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.20