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HSM3056

HUASHUO(华朔)
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制造商编号:
HSM3056
制造商:
HUASHUO(华朔)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
渠道:
自营

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 2.062413 2.06
10 1.686078 16.86
30 1.524791 45.74
100 1.323511 132.35

规格参数

属性
参数值

制造商型号

HSM3056

制造商

HUASHUO(华朔)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

20A

栅源极阈值电压

2.2V @ 250uA

漏源导通电阻

3.9mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

3.1W

类型

N沟道

包装方式

编带

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型号:HSM3056

品牌:HUASHUO

供货:锐单

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单价:

1+: ¥2.062413
10+: ¥1.686078
30+: ¥1.524791
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