BRD5N50
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- 制造商编号：
- BRD5N50
- 制造商：
- BL(博林)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.790375 | ￥1.79 |
| 10 | ￥1.474757 | ￥14.75 |
| 30 | ￥1.339492 | ￥40.18 |
| 100 | ￥1.204228 | ￥120.42 |
| 500 | ￥1.114051 | ￥557.03 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BRD5N50
制造商
BL(博林)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.4Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.5W
类型
N沟道
包装方式
编带
BRD5N50 同类别型号
注
BRD5N50品牌厂家：BL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、BRD5N50
数据手册PDF。
BRD5N50
型号：BRD5N50
品牌：BL
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.790375 |
| 10+： | ￥1.474757 |
| 30+： | ￥1.339492 |
| 100+： | ￥1.204228 |
| 500+： | ￥1.114051 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.79