WNMD2153-6/TR
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- 制造商编号：
- WNMD2153-6/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：810mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：双N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.310945 | ￥1.31 |
| 10 | ￥1.081472 | ￥10.81 |
| 30 | ￥0.983127 | ￥29.49 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WNMD2153-6/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：810mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
810mA
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
310mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
310mW
类型
双N沟道
包装方式
编带
WNMD2153-6/TR 同类别型号
注
WNMD2153-6/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WNMD2153-6/TR
数据手册PDF。
WNMD2153-6/TR
型号：WNMD2153-6/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.310945 |
| 10+： | ￥1.081472 |
| 30+： | ￥0.983127 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.31