WSD40120DN56
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- 制造商编号：
- WSD40120DN56
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.860624 | ￥5.86 |
| 10 | ￥4.915362 | ￥49.15 |
| 30 | ￥4.442731 | ￥133.28 |
| 100 | ￥3.9701 | ￥397.01 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD40120DN56
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：104W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
2.4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
104W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
WSD40120DN56品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WSD40120DN56
数据手册PDF。
WSD40120DN56
型号：WSD40120DN56
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.860624 |
| 10+： | ￥4.915362 |
| 30+： | ￥4.442731 |
| 100+： | ￥3.9701 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.86