WPT2N32-6/TR
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- 制造商编号：
- WPT2N32-6/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：860mV @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：2866
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.45375 | ￥0.45 |
| 100 | ￥0.4235 | ￥42.35 |
| 300 | ￥0.39325 | ￥117.97 |
| 500 | ￥0.363 | ￥181.50 |
| 2000 | ￥0.347875 | ￥695.75 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPT2N32-6/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：860mV @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
800mA
栅源极阈值电压
860mV @ 250uA
漏源导通电阻
600mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.1W
类型
N沟道
包装方式
编带
WPT2N32-6/TR 同类别型号
注
WPT2N32-6/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购WPT2N32-6/TR、查询WPT2N32-6/TR代理商；
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替代型号
、WPT2N32-6/TR
数据手册PDF。
WPT2N32-6/TR
型号：WPT2N32-6/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：2866 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.45375 |
| 100+： | ￥0.4235 |
| 300+： | ￥0.39325 |
| 500+： | ￥0.363 |
| 2000+： | ￥0.347875 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.45