MI5809
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- 制造商编号：
- MI5809
- 制造商：
- EG(屹晶微)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MI5809
制造商
EG(屹晶微)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
300mA
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
250mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
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类型
N沟道
包装方式
编带
MI5809 同类别型号
注
MI5809品牌厂家：EG
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、MI5809
数据手册PDF。
MI5809
型号：MI5809
品牌：EG
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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