JST8205S
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- 制造商编号：
- JST8205S
- 制造商：
- STE(松田)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.413159 | ￥4.13 |
| 100 | ￥0.337106 | ￥33.71 |
| 300 | ￥0.299078 | ￥89.72 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
JST8205S
制造商
STE(松田)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.8A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
27.5mΩ @ 4A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.25W
类型
双N沟道
包装方式
编带
JST8205S 同类别型号
注
JST8205S品牌厂家：STE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、JST8205S
数据手册PDF。
JST8205S
型号：JST8205S
品牌：STE
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.413159 |
| 100+： | ￥0.337106 |
| 300+： | ￥0.299078 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00