UT3401G-AE3-R
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- 制造商编号：
- UT3401G-AE3-R
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.588206 | ￥2.94 |
| 50 | ￥0.494847 | ￥24.74 |
| 150 | ￥0.448167 | ￥67.23 |
| 500 | ￥0.413158 | ￥206.58 |
| 2500 | ￥0.38515 | ￥962.88 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UT3401G-AE3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.2A
栅源极阈值电压
1.3V @ 250uA
漏源导通电阻
50mΩ @ 4.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
UT3401G-AE3-R 同类别型号
注
UT3401G-AE3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、UT3401G-AE3-R
数据手册PDF。
UT3401G-AE3-R
型号：UT3401G-AE3-R
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.588206 |
| 50+： | ￥0.494847 |
| 150+： | ￥0.448167 |
| 500+： | ￥0.413158 |
| 2500+： | ￥0.38515 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00