4N60L-B-TN3-R
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- 制造商编号：
- 4N60L-B-TN3-R
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：815
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
4N60L-B-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.5Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
50W
类型
N沟道
包装方式
编带
4N60L-B-TN3-R 同类别型号
注
4N60L-B-TN3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、4N60L-B-TN3-R
数据手册PDF。
4N60L-B-TN3-R
型号：4N60L-B-TN3-R
品牌：TC
供货：锐单
库存：815 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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