NCE30P15S
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- 制造商编号：
- NCE30P15S
- 制造商：
- 无锡新洁能(无锡新洁能)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：4294
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥3.402883 | ￥34.03 |
| 300 | ￥2.09088 | ￥627.26 |
| 1000 | ￥1.463616 | ￥1463.62 |
| 4000 | ￥1.04544 | ￥4181.76 |
| 8000 | ￥0.993168 | ￥7945.34 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE30P15S
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
15A
栅源极阈值电压
2.2V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
NCE30P15S品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、NCE30P15S
数据手册PDF。
NCE30P15S
型号：NCE30P15S
品牌：无锡新洁能
供货：锐单
库存：4294 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥3.402883 |
| 300+： | ￥2.09088 |
| 1000+： | ￥1.463616 |
| 4000+： | ￥1.04544 |
| 8000+： | ￥0.993168 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00