30N06L-TA3-T
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- 30N06L-TA3-T
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：79W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.585282 | ￥2.59 |
| 10 | ￥2.126337 | ￥21.26 |
| 30 | ￥1.929646 | ￥57.89 |
| 100 | ￥1.684329 | ￥168.43 |
| 500 | ￥1.575056 | ￥787.53 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
30N06L-TA3-T
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：79W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
30A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
40mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
79W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
30N06L-TA3-T 同类别型号
注
30N06L-TA3-T品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购30N06L-TA3-T、查询30N06L-TA3-T代理商；
30N06L-TA3-T价格批发咨询客服；这里拥有
30N06L-TA3-T中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到30N06L-TA3-T
替代型号
、30N06L-TA3-T
数据手册PDF。
30N06L-TA3-T
型号：30N06L-TA3-T
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.585282 |
| 10+： | ￥2.126337 |
| 30+： | ￥1.929646 |
| 100+： | ￥1.684329 |
| 500+： | ￥1.575056 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.59