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KIA840SB

KIA
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制造商编号:
KIA840SB
制造商:
KIA
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道
渠道:

库存 :769

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 2.122957 2.12
30 2.049752 61.49
100 1.903342 190.33
500 1.75692 878.46
1000 1.683715 1683.72

规格参数

属性
参数值

制造商型号

KIA840SB

制造商

KIA

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

8A

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

900mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

100W

类型

N沟道

包装方式

编带

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型号:KIA840SB

品牌:KIA

供货:锐单

库存:769 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥2.122957
30+: ¥2.049752
100+: ¥1.903342
500+: ¥1.75692
1000+: ¥1.683715

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