4N80L-TN3-R
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- 制造商编号：
- 4N80L-TN3-R
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.137509 | ￥4.14 |
| 10 | ￥3.59645 | ￥35.96 |
| 30 | ￥3.363052 | ￥100.89 |
| 100 | ￥3.129655 | ￥312.97 |
| 500 | ￥2.97052 | ￥1485.26 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
4N80L-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
800V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A
栅源极阈值电压
5V @ 250uA
漏源导通电阻
3Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
50W
类型
N沟道
包装方式
编带
4N80L-TN3-R 同类别型号
注
4N80L-TN3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购4N80L-TN3-R、查询4N80L-TN3-R代理商；
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替代型号
、4N80L-TN3-R
数据手册PDF。
4N80L-TN3-R
型号：4N80L-TN3-R
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.137509 |
| 10+： | ￥3.59645 |
| 30+： | ￥3.363052 |
| 100+： | ￥3.129655 |
| 500+： | ￥2.97052 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.14