4N60L-B-TM3-T
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- 制造商编号：
- 4N60L-B-TM3-T
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.913651 | ￥1.91 |
| 10 | ￥1.595381 | ￥15.95 |
| 30 | ￥1.364636 | ￥40.94 |
| 100 | ￥1.17431 | ￥117.43 |
| 500 | ￥1.141847 | ￥570.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
4N60L-B-TM3-T
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.5Ω @ 2.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
50W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
4N60L-B-TM3-T 同类别型号
注
4N60L-B-TM3-T品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、4N60L-B-TM3-T
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4N60L-B-TM3-T
型号：4N60L-B-TM3-T
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.913651 |
| 10+： | ￥1.595381 |
| 30+： | ￥1.364636 |
| 100+： | ￥1.17431 |
| 500+： | ￥1.141847 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.91