CEP10N65
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- 制造商编号：
- CEP10N65
- 制造商：
- CET(华瑞)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.784658 | ￥4.78 |
| 10 | ￥4.084464 | ￥40.84 |
| 30 | ￥3.734367 | ￥112.03 |
| 100 | ￥3.469142 | ￥346.91 |
| 500 | ￥3.214527 | ￥1607.26 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CEP10N65
制造商
CET(华瑞)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
850mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
200W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
CEP10N65品牌厂家：CET
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
CEP10N65
型号：CEP10N65
品牌：CET
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.784658 |
| 10+： | ￥4.084464 |
| 30+： | ￥3.734367 |
| 100+： | ￥3.469142 |
| 500+： | ￥3.214527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.78