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WFF7N65L

Winsemi(稳先微)
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制造商编号:
WFF7N65L
制造商:
Winsemi(稳先微)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道
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制造商型号

WFF7N65L

制造商

Winsemi(稳先微)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

7A(Tc)

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

1.45Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

40W(Tc)

类型

N沟道

包装方式

管装

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WFF7N65L

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型号:WFF7N65L

品牌:Winsemi

供货:锐单

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