CEH2609
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- 制造商编号：
- CEH2609
- 制造商：
- CET(华瑞)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A,2.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.5A,4.5V;100mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
库存 ：17865
货期：国内（1~3工作日）
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规格参数
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制造商型号
CEH2609
制造商
CET(华瑞)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A,2.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.5A,4.5V;100mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
3.5A,2.5A
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
60mΩ @ 3.5A,4.5V;100mΩ @ 2.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.14W
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
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注
CEH2609品牌厂家：CET
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
CEH2609
型号：CEH2609
品牌：CET
供货：锐单
库存：17865 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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