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SE100250GTS

SINO-IC(光宇睿芯)
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制造商编号:
SE100250GTS
制造商:
SINO-IC(光宇睿芯)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道
渠道:
自营

库存 :有货

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定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.899178 15.90
10 13.833924 138.34
30 12.457088 373.71
90 11.134888 1002.14
510 10.544816 5377.86

规格参数

属性
参数值

制造商型号

SE100250GTS

制造商

SINO-IC(光宇睿芯)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):250A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

250A

栅源极阈值电压

5V @ 250uA

漏源导通电阻

3mΩ @ 125A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

400mW

类型

N沟道

包装方式

管装

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型号:SE100250GTS

品牌:SINO-IC

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥15.899178
10+: ¥13.833924
30+: ¥12.457088
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